FDMC035N10X1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMC035N10X1

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMC035N10X1-DG

Περιγραφή:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Αποθέμα:

13001583
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMC035N10X1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2675 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.3W (Ta), 50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1
Άλλα ονόματα
488-FDMC035N10X1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

infineon-technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3