Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMB3800N
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMB3800N-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 4.8A 750mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Αποθέμα:
6848 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12846889
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMB3800N Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.6nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
465pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
750mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMB3800
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMB3800NCT
FDMB3800NTR
ONSONSFDMB3800N
2156-FDMB3800N-OS
FDMB3800NDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDQ7698S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A 14SO
FDPC8014S
MOSFET 2N-CH 25V 20A PWRCLIP56
FDC6000NZ_F077
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP
