FDMA8878

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDMA8878

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDMA8878-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Αποθέμα:

3733 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12848083

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDMA8878 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

9A (Ta), 10A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

3V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

12 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

720 pF @ 15 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.4W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

6-MicroFET (2x2)

Συσκευασία / Θήκη

6-WDFN Exposed Pad

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDMA88

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDMA8878TR

FDMA8878DKR

FDMA8878CT

FDMA8878-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

NTB22N06T4

MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK

onsemi

FCPF165N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

onsemi

FDD2572

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA