Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDMA2002NZ
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDMA2002NZ-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Αποθέμα:
35296 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12846290
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDMA2002NZ Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.9A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
220pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
650mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-MicroFET (2x2)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDMA2002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDMA2002NZTR
FDMA2002NZCT
FDMA2002NZDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AO4612
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOIC
HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8SOIC
AOD607
MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
