FDM3622

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDM3622

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDM3622-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Αποθέμα:

3580 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12847987

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDM3622 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

4.4A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1090 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

2.1W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-MLP (3.3x3.3)

Συσκευασία / Θήκη

8-PowerWDFN

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDM362

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDM3622DKR

FDM3622-DG

FDM3622TR

FDM3622CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

MMBF0201NLT1G

MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

onsemi

FDD9409-F085

MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

onsemi

FDD6680

MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON7474A

MOSFET N-CH 75V 4A/7.5A 8DFN