FDI8442
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDI8442

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDI8442-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Αποθέμα:

12837404
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDI8442 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
254W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262 (I2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDI8442

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
400

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF1404ZPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3513
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF1404ZPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.70
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDS4685

MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC

onsemi

CPH3457-TL-W

MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

onsemi

FDV305N

MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23

onsemi

HUFA76645S3ST

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK