FDG6322C
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDG6322C

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDG6322C-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Αποθέμα:

29094 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12837128
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDG6322C Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA, 410mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88 (SC-70-6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG6322

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDG6322CCT
FDG6322CDKR
FDG6322CTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDC6036P_F077

MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6

onsemi

FDS8934A

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

onsemi

FDS8928A

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/4A 8SOIC