FDG6316P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDG6316P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDG6316P-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Αποθέμα:

32570 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12930524
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDG6316P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
700mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
146pF @ 6V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88 (SC-70-6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG6316

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDG6316P-DG
FDG6316PDKR
FDG6316PTR
FDG6316PCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15411
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTJD4152PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDZ1416NZ

MOSFET 2N-CH 4WLCSP

onsemi

FDW2601NZ

MOSFET 2N-CH 30V 8.2A 8TSSOP

alpha-and-omega-semiconductor

AON3814L

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8DFN