FDG6304P-X
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDG6304P-X

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDG6304P-X-DG

Περιγραφή:

MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array

Αποθέμα:

12933132
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDG6304P-X Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
-
Διαμόρφωση
-
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
-
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
-
Τύπος τοποθέτησης
-
Συσκευασία / Θήκη
-
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
-
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG6304

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDG6304P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6300
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDG6304P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

CPH5608-TL-E

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

fairchild-semiconductor

HUF76113DK8T

MOSFET 2N-CH 30V 6A US8

alpha-and-omega-semiconductor

AO4627

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

renesas-electronics-america

UPA2350T1G(2)-E4-A

N-CHANNEL POWER MOSFET