Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDG6301N
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDG6301N-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Αποθέμα:
69606 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12849485
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDG6301N Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
220mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9.5pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-88 (SC-70-6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDG6301
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDG6301NCT
2832-FDG6301NTR
FDG6301NDKR
FDG6301NTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AO4801AL
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4840E
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
ECH8668-TL-H
MOSFET N/P-CH 20V 7.5A/5A 8ECH
