FDFS2P103A
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDFS2P103A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDFS2P103A-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Αποθέμα:

12850369
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDFS2P103A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
535 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
900mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDFS2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDFS2P103A_NLTR-DG
FDFS2P103ACT-NDR
FDFS2P103A_NLCT
FDFS2P103A_NLCT-DG
FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103ACT
FDFS2P103ATR
FDFS2P103ATR-NDR
FDFS2P103ADKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2610L

MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F

onsemi

FQPF15P12

MOSFET P-CH 120V 15A TO220F

onsemi

FDS6673BZ

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

infineon-technologies

BSO130P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO