Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDFMA2P857
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDFMA2P857-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Αποθέμα:
12840043
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDFMA2P857 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
435 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-MicroFET (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDFMA2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDFMA2P857CT
FDFMA2P857TR
FDFMA2P857DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTHD3101FT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTHD3101FT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NTMSD6N303R2
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
FCP20N60_G
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
FDMS86202ET120
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
