Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDFMA2P029Z-F106
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDFMA2P029Z-F106-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Αποθέμα:
12846911
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDFMA2P029Z-F106 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Last Time Buy
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
Schottky Diode (Isolated)
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.4W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-MicroFET (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-VDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDFMA2
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-FDFMA2P029Z-F106CT
488-FDFMA2P029Z-F106TR
488-FDFMA2P029Z-F106DKR
2832-FDFMA2P029Z-F106TR
FDFMA2P029Z-F106-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
NDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
