FDD86367
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD86367

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD86367-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

40875 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838752
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD86367 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4840 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
227W (Tj)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD863

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD86367-DG
FDD86367OSCT
FDD86367OSDKR
FDD86367OSTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

HUFA76443S3S

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

onsemi

HUF75645S3ST

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

onsemi

FQP24N08

MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3

onsemi

FQP3N40

MOSFET N-CH 400V 2.5A TO220-3