FDD86326

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD86326

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD86326-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 80 V 8A (Ta), 37A (Tc) 3.1W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

9960 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12838548

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD86326 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

80 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

8A (Ta), 37A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

19 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1035 pF @ 50 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.1W (Ta), 62W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-252AA

Συσκευασία / Θήκη

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDD863

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Άλλα ονόματα

FDD86326DKR

FDD86326TR

FDD86326CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FCPF190N65FL1

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F

onsemi

FDMS0308CS

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

onsemi

FQP1P50

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3

onsemi

FQPF3N50C

MOSFET N-CH 500V 3A TO220F