FDD86102LZ
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD86102LZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD86102LZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

20852 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12838862
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD86102LZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Ta), 35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1540 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD86102

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD86102LZ-DG
ONSONSFDD86102LZ
2156-FDD86102LZ-OS
FDD86102LZFSDKR
FDD86102LZFSCT
FDD86102LZFSTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

onsemi

FQPF5N90

MOSFET N-CH 900V 3A TO220F

onsemi

FCPF190N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

onsemi

FQD4N50TF

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK