Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDD8586
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDD8586-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
12836790
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDD8586 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2480 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
77W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD858
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD8586CT
FDD8586DKR
FDD8586TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR3711ZTRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7103
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFR3711ZTRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.42
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD17NF03LT4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3239
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STD17NF03LT4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
5LP01SP-AC
MOSFET P-CH 50V 70MA 3SPA
FDS6685
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
HUFA75329D3S
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
