Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDD6782A
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDD6782A-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 25 V 20A (Ta) 3.7W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Αποθέμα:
12838448
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDD6782A Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
25 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
20A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1065 pF @ 13 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.7W (Ta), 31W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD678
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD6782ATR
FDD6782ADKR
FDD6782ACT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
94138
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD090N03LGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCA76N60N
MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN
FCD4N60TF
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FQA10N80C-F109
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
