FDD6685
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD6685

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD6685-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

5949 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12840342
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD6685 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1715 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
52W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252AA
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD668

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD6685CT
FDD6685-DG
FDD6685TR
2832-FDD6685
2156-FDD6685-OS
ONSONSFDD6685
FDD6685DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
panasonic

2SK354700L

MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3

infineon-technologies

BSZ067N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON

onsemi

HUF76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

FDD3672

MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA