FDD6512A

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD6512A

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD6512A-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Αποθέμα:

RFQ Online

12848114

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD6512A Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

10.7A (Ta), 36A (Tc)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1082 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

TO-252AA

Συσκευασία / Θήκη

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDD651

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

2,500

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN