FDD3510H
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDD3510H

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDD3510H-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

12848460
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDD3510H Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel, Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
800pF @ 40V
Ισχύς - Μέγιστη
1.3W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD3510

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD3510HTR
2156-FDD3510H-OS
ONSONSFDD3510H
FDD3510HCT
FDD3510HDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDY1002PZ

MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F

alpha-and-omega-semiconductor

AO5600EL

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SC89-6

onsemi

FDS8858CZ

MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOC2804B

MOSFET 2N-CH 4DFN