Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDD1600N10ALZD
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDD1600N10ALZD-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Αποθέμα:
12851225
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDD1600N10ALZD Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
225 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
14.9W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDD160
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
FDD1600N10ALZD-DG
FDD1600N10ALZDCT
FDD1600N10ALZDDKR
FDD1600N10ALZDTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD1600N10ALZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6334
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDD1600N10ALZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.33
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCP360N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB