FDC8884
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC8884

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC8884-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

1 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839002
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC8884 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Ta), 8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
465 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDC8884

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDC8884DKR
FDC8884CT
FDC8884-DG
FDC8884TR
2832-FDC8884TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC8886
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
142596
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC8886-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI3424CDV-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4242
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI3424CDV-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3026LVT-7
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8316
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMN3026LVT-7-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SQ3410EV-T1_GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SQ3410EV-T1_GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STT6N3LLH6
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16452
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STT6N3LLH6-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.19
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDP150N10A-F102

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

onsemi

HUF76629D3ST

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

onsemi

FQAF11N40

MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF

onsemi

FDS6699S

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC