Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC8601

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC8601-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 100 V 2.7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

3048 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12839724

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC8601 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

100 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

109mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

4V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

5 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

210 pF @ 50 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.6W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SuperSOT™-6

Συσκευασία / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDC8601

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

2156-FDC8601-OS

FDC8601CT

FDC8601TR

ONSONSFDC8601

FDC8601DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDD6670AL

MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK

onsemi

FQA13N80

MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN

onsemi

FDP15N40

MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3

onsemi

FDA2712

MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN