Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC637BNZ

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC637BNZ-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

216 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12839477

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC637BNZ Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

895 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.6W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SuperSOT™-6

Συσκευασία / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDC637

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDC637BNZDKR

FDC637BNZTR

FDC637BNZCT

2156-FDC637BNZTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMN2028UVT-7

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Diodes Incorporated

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

1723

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

DMN2028UVT-7-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.08

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

NTGS3130NT1G

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

onsemi

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

1870

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

NTGS3130NT1G-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.33

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RUQ050N02TR

ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ

Rohm Semiconductor

ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ

2985

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ

RUQ050N02TR-DG

ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ

0.31

ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ

Similar

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQB34P10TM-F085P

MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

onsemi

FCH072N60F

MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

onsemi

IRFN214BTA_FP001

MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3

onsemi

FCH043N60

MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3