FDC6318P
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC6318P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC6318P-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

11029 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12839881
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC6318P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
455pF @ 6V
Ισχύς - Μέγιστη
700mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SuperSOT™-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDC6318

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
FDC6318PTR
FDC6318P-DG
FDC6318PCT
FDC6318PDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

NTMFD5C466NT1G

MOSFET 40V S08FL DUAL

onsemi

NDS9936

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC

onsemi

FDC6305N

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6

onsemi

FDS6892A

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC