Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDC602P

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDC602P-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Αποθέμα:

11530 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

12837349

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDC602P Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Σειρά

PowerTrench®

Κατάσταση προϊόντος

Active

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

20 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

5.5A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

1.5V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

20 nC @ 4.5 V

Vgs (Μέγ.)

±12V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

1456 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.6W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SuperSOT™-6

Συσκευασία / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Βασικός αριθμός προϊόντος

FDC602

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

FDC602PTR

FDC602PCT

FDC602P-DG

FDC602PDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FDD050N03B

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

onsemi

FDS6679

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

onsemi

FQP4N90

MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3

onsemi

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK