Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDBL0260N100
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDBL0260N100-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.5W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
Αποθέμα:
1980 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12848650
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDBL0260N100 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9265 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.5W (Ta), 250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HPSOF
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerSFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDBL0260
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
FDBL0260N100TR
FDBL0260N100-DG
FDBL0260N100DKR
FDBL0260N100CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPT020N10N3ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2232
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPT020N10N3ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
AOL1240
MOSFET N-CH 40V 19A/69A ULTRASO8
AON6444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
AON7458
MOSFET N-CH 250V 1.5A/5A 8DFN
