FDB8441-F085
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB8441-F085

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB8441-F085-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

12848101
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB8441-F085 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
28A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB844

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2156-FDB8441-F085-OS
FDB8441_F085-DG
FDB8441_F085CT
FDB8441-F085TR
FDB8441_F085DKR-DG
2832-FDB8441-F085TR
FDB8441-F085DKR
FDB8441-F085CT
FDB8441_F085TR
FDB8441_F085CT-DG
FDB8441_F085DKR
FDB8441_F085
ONSONSFDB8441-F085
FDB8441_F085TR-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB120N04S401ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1863
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB120N04S401ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.52
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB170NF04
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
488
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB170NF04-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.27
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB120N04S402ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1734
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB120N04S402ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.32
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BUK661R9-40C,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1380
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BUK661R9-40C,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.47
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB270N4F3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3013
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB270N4F3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOD8N25

MOSFET N CH 250V 8A TO252

onsemi

FCH099N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO3460L

MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23

onsemi

FDG314P

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88