FDB3502
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB3502

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB3502-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 75 V 6A (Ta), 14A (Tc) 3.1W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

705 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12846123
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB3502 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
75 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta), 14A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
47mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
815 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 41W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB350

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
FDB3502
Φύλλα δεδομένων
FDB3502
HTML Δελτίο δεδομένων
FDB3502-DG

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB3502CT
2166-FDB3502-488
FDB3502DKR
FDB350CT
FDB3502TR
FDB350CT-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN005-75B,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4338
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN005-75B,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN008-75B,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5795
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN008-75B,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ34NSTRLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3913
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFZ34NSTRLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB29N08T,118
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
NXP Semiconductors
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2600
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHB29N08T,118-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOT10T60PL

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON6514

MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN

onsemi

IRFR130ATM

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

onsemi

FDBL0110N60

MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF