Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDB1D7N10CL7
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDB1D7N10CL7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
12838601
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDB1D7N10CL7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
268A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 15V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 700µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
11600 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB1D7
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB1D7N10CL7-DG
488-FDB1D7N10CL7TR
488-FDB1D7N10CL7CT
488-FDB1D7N10CL7DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FQPF2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
FQD12N20TM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
