FDB0300N1007L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB0300N1007L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB0300N1007L-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Αποθέμα:

147 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12850880
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB0300N1007L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 26A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
8295 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB0300

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB0300N1007LTR
2166-FDB0300N1007L-488
FDB0300N1007LDKR
FDB0300N1007LCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
infineon-technologies

IPA60R125C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

onsemi

FQPF13N06L

MOSFET N-CH 60V 10A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOT412

MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOD498

MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252