FDB0190N807L
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FDB0190N807L

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FDB0190N807L-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 80 V 270A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Αποθέμα:

12837744
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
PUdY
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FDB0190N807L Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
PowerTrench®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
80 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
270A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 34A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
249 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
19110 pF @ 40 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDB0190

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
FDB0190N807LTR
2156-FDB0190N807LTR
FDB0190N807LCT
FDB0190N807LDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMS3500

MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56

onsemi

FDV304P-CGB8

MOSFET P-CHANNEL

onsemi

FDPF51N25

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F

onsemi

FDMS8558S

MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN