Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FDA62N28
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FDA62N28-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 280 V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
Αποθέμα:
12847255
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FDA62N28 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
UniFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
280 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
62A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
51mOhm @ 31A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4630 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3PN
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FDA62
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTQ50N25T
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
242
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTQ50N25T-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5608
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2SK1317-E-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
HUF76429P3
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK