FCPF2250N80Z
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCPF2250N80Z

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCPF2250N80Z-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Αποθέμα:

12848773
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCPF2250N80Z Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® II
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 260µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
585 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
21.9W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220F-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCPF2250

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
2832-FCPF2250N80Z
2832-FCPF2250N80Z-488

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R8003KNXC7G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
477
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R8003KNXC7G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.99
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AO4310

MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC

onsemi

FQP4N50

MOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3

infineon-technologies

IPD30N03S2L20ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31

onsemi

FQA11N90

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P