FCP850N80Z
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCP850N80Z

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCP850N80Z-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

766 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12847323
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCP850N80Z Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® II
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 600µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
136W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCP850

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
232
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDN361AN

MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3

onsemi

FDD8778

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

infineon-technologies

BSD314SPEL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4128

MOSFET N-CH 25V 60A TO252