FCP190N65S3R0
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCP190N65S3R0

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCP190N65S3R0-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

12837547
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCP190N65S3R0 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.7mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
144W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCP190

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
488-FCP190N65S3R0TR
488-FCP190N65S3R0CT
488-FCP190N65S3R0DKRINACTIVE
FCP190N65S3R0-DG
488-FCP190N65S3R0DKR-DG
488-FCP190N65S3R0DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP22N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP22N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP60R199CPXKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
512
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP60R199CPXKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.75
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP65R190C7FKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
499
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP65R190C7FKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP24N60DM2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
105
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP24N60DM2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.48
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP60R170CFD7XKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
425
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP60R170CFD7XKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FQP7N65C

MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3

onsemi

FQB46N15TM_AM002

MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK

onsemi

FDWS9408-F085

MOSFET N-CH 40V 80A POWER56

onsemi

FQA22P10

MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN