FCP190N65S3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCP190N65S3

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCP190N65S3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3

Αποθέμα:

12932494
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCP190N65S3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 1.7mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1350 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
144W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCP190

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
2156-FCP190N65S3-OS
ONSONSFCP190N65S3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP22N60E-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SIHP22N60E-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPP24N60C3XKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
129
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPP24N60C3XKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.95
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT25S65L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOT25S65L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.99
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP22N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFP22N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.43
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16E60W,S1VX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
39
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK16E60W,S1VX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
fairchild-semiconductor

HUF75343S3_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2499-Z-AZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

HUF76145S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK2529-E

N-CHANNEL POWER MOSFET