Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCMT080N65S3
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCMT080N65S3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Αποθέμα:
12939759
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCMT080N65S3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
38A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 19A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 880µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2765 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
260W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-TDFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
4-PowerTSFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCMT080
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
488-FCMT080N65S3TR
488-FCMT080N65S3CT
488-FCMT080N65S3DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
NDCTR30120A
MOSFET N-CH 1200V 30A SMD
FDBL86063
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
NTTFS5D1N06HLTAG
MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
