Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCH023N65S3L4
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCH023N65S3L4-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4
Αποθέμα:
12838804
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCH023N65S3L4 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 7.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7160 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
595W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCH023
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
FCH023N65S3L4-DG
FCH023N65S3L4OS
2832-FCH023N65S3L4
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMA008P20LZ
MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN
FDMA7630
MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
FDMC6688P
MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
