FCH023N65S3L4
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

FCH023N65S3L4

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

FCH023N65S3L4-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4

Αποθέμα:

12838804
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

FCH023N65S3L4 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperFET® III
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
75A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
23mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 7.5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7160 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
595W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCH023

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
FCH023N65S3L4-DG
FCH023N65S3L4OS
2832-FCH023N65S3L4

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDMA008P20LZ

MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN

onsemi

FDMA7630

MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET

onsemi

FDMC6688P

MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

onsemi

FQD5N50CTM_F080

MOSFET N-CH 500V 4A DPAK