Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
FCB11N60TM
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
FCB11N60TM-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Αποθέμα:
135 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12835961
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
FCB11N60TM Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
SuperFET™
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
FCB11N60
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-DG
FCB11N60TMDKR
FCB11N60TM_NLCT-DG
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA12N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTA12N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA12N65X2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
288
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXFA12N65X2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.82
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6011ENJTL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6011ENJTL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.56
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NM80T4
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB11NM80T4-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.81
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB13NM60N
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STB13NM60N-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDD4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
6HP04CH-TL-W
MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH
FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
