Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
EFC6612R-TF
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
EFC6612R-TF-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
Αποθέμα:
12839125
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
EFC6612R-TF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
-
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
-
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
-
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
2.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, No Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-CSP (1.77x3.54)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC6612
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
EFC6612R-TF-DG
488-EFC6612R-TFDKR
488-EFC6612R-TFTR
2156-EFC6612R-TF
488-EFC6612R-TFCT
ONSONSEFC6612R-TF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7946
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8697R-TL-W-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.18
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMA1028NZ
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
FDW2506P
MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8TSSOP
FDMS7700S
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
