EFC2K102ANUZTDG
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

EFC2K102ANUZTDG

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

EFC2K102ANUZTDG-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 33A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 10-WLCSP (2.98x1.49)

Αποθέμα:

4848 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12974408
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

EFC2K102ANUZTDG Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.75mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.3V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42nC @ 3.8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
3.1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
10-SMD, No Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
10-WLCSP (2.98x1.49)
Βασικός αριθμός προϊόντος
EFC2K102

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
5,000
Άλλα ονόματα
488-EFC2K102ANUZTDGTR
488-EFC2K102ANUZTDGCT
488-EFC2K102ANUZTDGDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
onsemi

FDPC8011S-AU01

MOSFET 2N-CH 25V 13A PWRCLIP-33

infineon-technologies

BSZ0908NDXTMA2

MOSFET 2N-CH 30V 4.8A WISON-8

microchip-technology

MSCSM70DUM025AG

SIC 2N-CH 700V 689A

microchip-technology

MSCSM120DUM027AG

SIC 2N-CH 1200V 733A