BVSS138LT3G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BVSS138LT3G

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BVSS138LT3G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Αποθέμα:

12912689
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BVSS138LT3G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
225mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
BVSS138

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
10,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BVSS138LT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
27685
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BVSS138LT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI4874BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

vishay-siliconix

SI1013R-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

vishay-siliconix

SI4425DDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO

vishay-siliconix

SI1039X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6