Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BS170_L34Z
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BS170_L34Z-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Αποθέμα:
12847532
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BS170_L34Z Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS170
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS170-D27Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2869
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BS170-D27Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Microchip Technology
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6680
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
VN10KN3-G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FDMC7692S-F126
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
FDPF5N50NZU
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
FDD5N50UTM-WS
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK