BS170-D26Z
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

BS170-D26Z

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

BS170-D26Z-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Αποθέμα:

19327 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12845047
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

BS170-D26Z Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
830mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
BS170

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
BS170_D26ZTR-DG
BS170_D26ZCT-DG
BS170_D26Z-DG
2166-BS170-D26Z-488
BS170_D26ZTR
BS170_D26ZCT
BS170_D26Z
BS170-D26ZTR
BS170D26Z
BS170-D26ZCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
alpha-and-omega-semiconductor

AOT5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AON1605

MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOW11S60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262

alpha-and-omega-semiconductor

AON7422G

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN