Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
BFL4036-1E
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
BFL4036-1E-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 9.6A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Αποθέμα:
12849745
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
BFL4036-1E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9.6A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
520mOhm @ 7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1000 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220F-3FS
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
BFL40
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
ONSONSBFL4036-1E
2156-BFL4036-1E-ON
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFIB7N50APBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
813
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFIB7N50APBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK13A55DA(STA4,QM)
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK13A55DA(STA4,QM)-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.21
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
BSS123LT7G
MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
FQPF8N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3
FQD10N20TF
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
