Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ATP112-TL-H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ATP112-TL-H-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 25A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Αποθέμα:
12834946
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ATP112-TL-H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1450 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ATPAK
Συσκευασία / Θήκη
ATPAK (2 Leads+Tab)
Βασικός αριθμός προϊόντος
ATP112
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
ATP112-TL-HOSCT
2156-ATP112-TL-H-OS
ATP112-TL-H-DG
ONSONSATP112-TL-H
ATP112-TL-HOSTR
2832-ATP112-TL-H
ATP112-TL-HOSDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NP20P06SLG-E1-AY
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
17226
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NP20P06SLG-E1-AY-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.59
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM680P06CP ROG
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Taiwan Semiconductor Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
24347
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TSM680P06CP ROG-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.23
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ATP113-TL-H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2834
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ATP113-TL-H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.64
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TJ15S06M3L(T6L1,NQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.45
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOD409
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
58673
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AOD409-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
ATP216-TL-H
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
5X49_BG7002B
MOSFET N-CH 100V SOT23
BS170RLRP
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
