Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
ATP108-TL-H
Product Overview
Κατασκευαστής:
onsemi
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
ATP108-TL-H-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 40 V 70A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Αποθέμα:
12836306
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
ATP108-TL-H Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
onsemi
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3850 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ATPAK
Συσκευασία / Θήκη
ATPAK (2 Leads+Tab)
Βασικός αριθμός προϊόντος
ATP108
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
869-1076-2
ATP108-SPL
869-1076-1
ATP108TLH
2156-ATP108-TL-H-OS
ATP108-TL-HOSTR
869-1076-6
ATP108-TL-HOSDKR
869-1076-6-DG
ATP108-TL-HOSCT
869-1076-2-DG
869-1076-1-DG
ONSONSATP108-TL-H
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NP50P04SDG-E1-AY
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Renesas Electronics Corporation
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3924
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NP50P04SDG-E1-AY-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.93
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD50P04P4L11ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
19
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPD50P04P4L11ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.47
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TJ40S04M3L(T6L1,NQ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.58
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFU220_R4941
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
2SK4094-1E
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
2SK4210
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
