3LP01C-TB-E

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

3LP01C-TB-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

onsemi

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

3LP01C-TB-E-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP

Λεπτομερής Περιγραφή:

P-Channel 30 V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-59-3/CP3

Αποθέμα:

RFQ Online

12836845

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

3LP01C-TB-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

onsemi

Συσκευασία

-

Σειρά

-

Κατάσταση προϊόντος

Obsolete

Τύπος FET

P-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

30 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

100mA (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

-

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

1.43 nC @ 10 V

Vgs (Μέγ.)

±10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

7.5 pF @ 10 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

250mW (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

SC-59-3/CP3

Συσκευασία / Θήκη

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Βασικός αριθμός προϊόντος

3LP01

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

3,000

Άλλα ονόματα

2156-3LP01C-TB-E-ONTR-DG

ONSONS3LP01C-TB-E

2156-3LP01C-TB-E

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

Κατάσταση REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

onsemi

FQA13N50C

MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P

onsemi

FDPF5N50UT

MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

onsemi

FDB050AN06A0

MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK

onsemi

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK